随着半导体微纳制造技术的不断发展，尤其是集成电路（Integrated Circuit，IC）的设计线宽即将进入亚纳米级，各个单元和互连线不断细化，器件内部的电路纵横交错，隔离电路中的缺陷、查明隐藏在大量晶体管和金属线中的问题的能力是产品快速量产的关键。分析师很难在不知道异常在哪里的情况下深入研究，而足智多谋的分析师有许多工具和技术来帮助检测集成电路上的缺陷，比如，液晶（Liquid Crystal，LC）热点检测技术，最适合用于发现产生大量热量的短路。然而，这些技术通常是不够的，分析人员必须找到一种方法来表征，创建一个基准来对比一个故障单元，以检测电子元件故障根源的缺陷。在这些情况下，EMMI提供了建立分析的完美平台。

微光显微镜（Emission Microscope, EMMI）是利用高增益相机/探测器来检测由某些半导体器件缺陷/失效发出的微量光子的一种设备。

当对样品施加适当电压时，其失效点会因加速载流子散射或电子-空穴对的复合而释放特定波长的光子。这些光子经过收集和图像处理后，就可以得到一张信号图。撤去样品施加的电压后，再收集一张背景图，把信号图和背景图叠加之后，就可以确定发光点的位置，从而实现对失效点的定位。

InGaAs EMMI和传统EMMI具有相同的原理和功能。两种探测光子都是由电子-空穴复合和热载流子触发的。它们的不同之处在于InGaAs具有更高的灵敏度，并且可以检测更长的波长范围900-1700 nm（相对于 350-1100 nm 的传统EMMI），这与 IR（红外） 的光谱波长相同。